碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)基于碳化硅的材料特性，具有較低的開關(guān)損耗和較高的工作頻率，非常貼合電力電子的應(yīng)用需求。

其寬禁帶特性使得碳化硅MOSFET可以承受高溫的極端工作環(huán)境，高熱導(dǎo)率特性可減少功率器件所需散熱裝置的體積和數(shù)量，高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)使得碳化硅MOSFET在保持耐壓條件下有著更小的導(dǎo)通電阻，高飽和速度使其具有更高的開關(guān)頻率和更優(yōu)異的反向恢復(fù)特性。